2235美尔森石墨2235MERSEN石墨石墨件

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日本东海石墨（TOKAI）：G330，G347，G348，G458，G467，G520，G530,534，G540，HK-1,HK-2,HK-3,HK-75,HK-15。

日本东洋石墨（TOYO）：IG-11，IG-12，IG-15，IG-45，IG-56，IG-70，IG-110，IG-120，IG-210，IG-310，ISEM-1，ISEM-2，ISEM-3，ISEM-8，ISO-63，ISO-66，ISO-68，ISO-88，TTK-4，TTK-5，TTK-8，TTK-9，SIC-6，SIC-12，TTK-50，HPG-51，HPG-53，HPG-59，HPG-83，含铜石墨TTK-5C，含铜ISEM-41C，KC-6709，KC-5709，KC-6707，IKC-6809，KC-67097，KC-360，KC-570，KC-670，KC-673，KC-830K，X-11，X-72，X-78，X-91，X-94，BX-388，T-301，124，127。

德国西格里石墨（SGL）：R8500，R8510，R8710，R8650，R8340，R6510，R6500，R6300，EK24，EK40，EK60，浸渍树脂EK2200，EK2201，EK2203，EK2240，EK2241，EK2243浸渍锑EK3205，EK3235，EK3245，EK3105，EK305。

美国步高石墨（POCO）：EDM-150，EDM-200，EDM-1，EDM-3，EDM-2，EDM-AF5，含铜石墨EDM-C3，含铜EDM-C200。

美国精帝石墨：ER9050，ER9160，ER9200，ER9220，R9300。

法国美尔森石墨（MERSEN)：E+20，E+25，E+18，E+40，E+50，E+35，DS-4，2129，2020，2124，2715，2720，2333。

日本揖斐电石墨（IBIDEN）：XL-5，EX-70，EX-60，EX-50，EX-4，EX-3

新日本碳素石墨（NTC）：SED-40S，SED-65，SED-70，SED-75，SED-90，SED-T1。

美国优卡石墨：E-850，E-888，E-900，E-940，E-950。

国内：HND-T4，HND-T6，HND-T9，HND-T11，F5585，F5587，F5590，HND-T20，HND-T30，HND-T40，HND-T50，HND-T60，HND-T70，HND-T80，HND-T90，HND-T100，WX-7，WX-8，两浸三焙，三浸四焙，四浸五焙，模压高纯石墨，等静压三高石墨，中粗颗粒石墨材料。

新日本科技炭素NTC生产的等静压石墨、模压石墨、挤压石墨等特种石墨制品。这些石墨具有结构均匀、理化性能好等优点，在特种石墨材料市场中属于中产品，广泛应用于冶金、化工、半导体、能源、环保、交通运输、机械工程、玻璃陶瓷等行业。另可供硬碳毡；软碳毡、炭符合材料。

德国SGL (西格里) 石墨/碳石墨素材

标准材质

含浸: Resin / Antimony / Salt

碳石墨: EK20 / EK2200 / EK 2201 / EK2203 / EK 2209 / EK3205 / EK2230 / EK2239 / EK3235 / EK24 / EK2240 / EK2241 / EK2243 / EK3245 / EK25 / EK2250 / EK3255

石墨: EK40 / EK200 / EK201 / EK203 / EK204 / EK305 / V1626

Resin Bonded Graphite: EK60 / V1754 / V1771 / V1352 / V1640

高纯石墨一般指含碳量在99.99%以上的石 墨，在组织结构上可分为粗颗粒结构、细颗粒结构和超细颗粒结构三类，高纯石墨大量用于直拉单晶硅炉中。集成电路的基础材料主要是硅单晶芯片，目前硅单晶的成长工艺主要采用直拉法，其他方法还有磁场直拉法、区域法以及双坩埚拉晶法，直拉单晶硅炉中的石墨件是消耗品，采用高纯石墨材料加工成直拉单晶硅炉的加热系统。

高纯石墨另一重要用途是加工成各类坩埚，用于生产贵金属、稀有金属或高纯金属、非金属材料。光谱分析用石墨电极也是一种高纯石墨，可用于除碳元素以外的所有元素的光谱化学分析，光谱分析用石墨电极用挤压方法成型。成品的杂质元素含量应不大于6*10-5。在光谱分析中制备标准样品和用化学方法捕集杂质时需用光谱纯炭粉或光谱纯石墨粉，这两种高纯材料对杂质含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量达到99.9995%，总灰分含量小于5*10-6。高纯石墨的成型方法有挤压成型、模压成型及等静压成型三种。

高纯石墨一般指含碳量在99.99%以上的石 墨，在组织结构上可分为粗颗粒结构、细颗粒结构和超细颗粒结构三类，高纯石墨大量用于直拉单晶硅炉中。集成电路的基础材料主要是硅单晶芯片，目前硅单晶的成长工艺主要采用直拉法，其他方法还有磁场直拉法、区域法以及双坩埚拉晶法，直拉单晶硅炉中的石墨件是消耗品，采用高纯石墨材料加工成直拉单晶硅炉的加热系统。

高纯石墨另一重要用途是加工成各类坩埚，用于生产贵金属、稀有金属或高纯金属、非金属材料。光谱分析用石墨电极也是一种高纯石墨，可用于除碳元素以外的所有元素的光谱化学分析，光谱分析用石墨电极用挤压方法成型。成品的杂质元素含量应不大于6*10-5。在光谱分析中制备标准样品和用化学方法捕集杂质时需用光谱纯炭粉或光谱纯石墨粉，这两种高纯材料对杂质含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量达到99.9995%，总灰分含量小于5*10-6。高纯石墨的成型方法有挤压成型、模压成型及等静压成型三种。